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EXSHINE Artikelnummer: | EX-APTM60A23FT1G |
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Hersteller Artikelnummer: | APTM60A23FT1G |
Hersteller / Marke: | Microsemi |
Kurze Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | New and unused, Original |
Datenblatt herunterladen: | APTM60A23UT1GPower Products Catalog |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
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Supplier Device-Gehäuse | SP1 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 276 mOhm @ 17A, 10V |
Leistung - max | 208W |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | SP1 |
Andere Namen | APTM60A23UT1G APTM60A23UT1G-ND |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer | APTM60A23FT1G |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5316pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Merkmal | Standard |
Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A |
Andere Namen | APTM60A23UT1G APTM60A23UT1G-ND |
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Standardpaket | 1 |
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