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APTM60H23FT1G
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-APTM60H23FT1G |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | APTM60H23FT1G |
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | APTM60H23UT1GPower Products Catalog |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
APTM60H23FT1G
Auf Lager: 34880 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | SP1 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 276 mOhm @ 17A, 10V |
| Leistung - max | 208W |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | SP1 |
| Andere Namen | APTM60H23UT1G APTM60H23UT1G-ND |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 22 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | APTM60H23FT1G |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5316pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Typ FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Merkmal | Standard |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A |
Andere
| Andere Namen | APTM60H23UT1G APTM60H23UT1G-ND |
|---|---|
| Standardpaket | 1 |
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Distributor von Microsemi Corporation
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