APTML1002U60R020T3AG

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-APTML1002U60R020T3AG
Hersteller Artikelnummer:	APTML1002U60R020T3AG
Hersteller / Marke:	Microsemi
Kurze Beschreibung:	MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	APTML1002U60R020T3AG
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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APTML1002U60R020T3AG
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse	SP3
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	720 mOhm @ 10A, 10V
Leistung - max	520W
Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP3
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	22 Weeks
Hersteller-Teilenummer	APTML1002U60R020T3AG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Typ FET	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Standard
Expanded Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 20A 520W Chassis Mount SP3
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V (1kV)
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A

Andere

Standardpaket	1

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