APTML10UM09R004T1AG

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-APTML10UM09R004T1AG
Hersteller Artikelnummer:	APTML10UM09R004T1AG
Hersteller / Marke:	Microsemi
Kurze Beschreibung:	MOSFET N-CH 100V 154A SP1
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	APTML10UM09R004T1AG
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

APTML10UM09R004T1AG
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SP1
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 69.5A, 10V
Verlustleistung (max)	480W (Tc)
Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP1
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	22 Weeks
Hersteller-Teilenummer	APTML10UM09R004T1AG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9875pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Expanded Beschreibung	N-Channel 100V 154A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SP1
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 154A SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	154A (Tc)

Andere

Standardpaket	1

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