MRF5812G

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MRF5812G

EXSHINE Artikelnummer:EX-MRF5812G
Hersteller Artikelnummer:MRF5812G
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:TRANS NPN 15V 200MA SO8
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:MRF5812(G)(R1,R2)
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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MRF5812G
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 15V
Transistor-Typ NPN
Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie -
Leistung - max 1.25W
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur -
Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer MRF5812G
Gewinnen 13dB ~ 15.5dB
Frequenz - Übergang 5GHz
Expanded Beschreibung RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
Beschreibung TRANS NPN 15V 200MA SO8
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 50 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200mA

Andere

Standardpaket 2,500

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