MRF5812GR2

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-MRF5812GR2
Hersteller Artikelnummer:	MRF5812GR2
Hersteller / Marke:	Microsemi
Kurze Beschreibung:	TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	MRF5812(G)R1,R2
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

MRF5812GR2
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Verpackung

Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	15V
Transistor-Typ	NPN
Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	-
Leistung - max	1.25W
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen	MRF5812GR2TR MRF5812R2MITR MRF5812R2MITR-ND
Betriebstemperatur	-
Rauschzahl (dB Typ @ f)	2dB ~ 3dB @ 500MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	MRF5812GR2
Gewinnen	13dB ~ 15.5dB
Frequenz - Übergang	5GHz
Expanded Beschreibung	RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
Beschreibung	TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	50 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max)	200mA

Andere

Standardpaket	2,500
Andere Namen	MRF5812GR2TR MRF5812R2MITR MRF5812R2MITR-ND

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