SI4100DY-T1-E3

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SI4100DY-T1-E3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI4100DY-T1-E3
Hersteller Artikelnummer:SI4100DY-T1-E3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI4100DY
Anwendung:-
Gewicht:-
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SI4100DY-T1-E3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63 mOhm @ 4.4A, 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen SI4100DY-T1-E3DKR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI4100DY-T1-E3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 100V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.8A (Tc)

Andere

Standardpaket 1
Andere Namen SI4100DY-T1-E3DKR

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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