SI4102DY-T1-GE3

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SI4102DY-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SI4102DY-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SI4102DY-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SI4102DY
Anwendung:-
Gewicht:-
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SI4102DY-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 158 mOhm @ 2.7A, 10V
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen SI4102DY-T1-GE3TR
SI4102DYT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SI4102DY-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 100V 3.8A (Tc) 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Tc)

Andere

Standardpaket 2,500
Andere Namen SI4102DY-T1-GE3TR

SI4102DYT1GE3

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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