SIA449DJ-T1-GE3

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SIA449DJ-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SIA449DJ-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SIA449DJ-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SIA449DJ
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SIA449DJ-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6
Andere Namen SIA449DJ-T1-GE3TR
SIA449DJT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SIA449DJ-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2140pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen SIA449DJ-T1-GE3TR

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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