SIA456DJ-T1-GE3

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SIA456DJ-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SIA456DJ-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SIA456DJ-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SIA456DJ
Anwendung:-
Gewicht:-
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SIA456DJ-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.38 Ohm @ 750mA, 4.5V
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SC-70-6
Andere Namen SIA456DJ-T1-GE3TR
SIA456DJT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SIA456DJ-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 200V 2.6A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.6A (Tc)

Andere

Andere Namen SIA456DJ-T1-GE3TR

SIA456DJT1GE3
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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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