SIZ900DT-T1-GE3

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SIZ900DT-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SIZ900DT-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SIZ900DT-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SIZ900DT
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SIZ900DT-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 6-PowerPair™
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Leistung - max 48W, 100W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-PowerPair™
Andere Namen SIZ900DT-T1-GE3TR
SIZ900DTT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks
Hersteller-Teilenummer SIZ900DT-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1830pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A, 28A

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen SIZ900DT-T1-GE3TR

SIZ900DTT1GE3

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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