SIZ904DT-T1-GE3

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SIZ904DT-T1-GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SIZ904DT-T1-GE3
Hersteller Artikelnummer:SIZ904DT-T1-GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SIZ904DT
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SIZ904DT-T1-GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 6-PowerPair™
Serie TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7.8A, 10V
Leistung - max 20W, 33W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-PowerPair™
Andere Namen SIZ904DT-T1-GE3TR
SIZ904DTT1GE3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 15 Weeks
Hersteller-Teilenummer SIZ904DT-T1-GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 12A, 16A 20W, 33W Surface Mount 6-PowerPair™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A, 16A

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen SIZ904DT-T1-GE3TR

SIZ904DTT1GE3

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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