SQJ992EP-T1_GE3

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SQJ992EP-T1_GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SQJ992EP-T1_GE3
Hersteller Artikelnummer:SQJ992EP-T1_GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SQJ992EP
Anwendung:-
Gewicht:-
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SQJ992EP-T1_GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56.2 mOhm @ 3.7A, 10V
Leistung - max 34W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual
Andere Namen SQJ992EP-T1-GE3
SQJ992EP-T1-GE3-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 18 Weeks
Hersteller-Teilenummer SQJ992EP-T1_GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 446pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Standard
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A

Andere

Andere Namen SQJ992EP-T1-GE3

SQJ992EP-T1-GE3-ND
Standardpaket 3,000

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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