SQJA86EP-T1_GE3

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SQJA86EP-T1_GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SQJA86EP-T1_GE3
Hersteller Artikelnummer:SQJA86EP-T1_GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 80V 30A SO8
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SQJA86EP
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SQJA86EP-T1_GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (max) 48W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8
Andere Namen SQJA86EP-T1_GE3TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 13 Weeks
Hersteller-Teilenummer SQJA86EP-T1_GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 80V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 30A SO8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen SQJA86EP-T1_GE3TR

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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