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SQJQ900E-T1_GE3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SQJQ900E-T1_GE3
Hersteller Artikelnummer:SQJQ900E-T1_GE3
Hersteller / Marke:Vishay / Siliconix
Kurze Beschreibung:MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SQJQzzzE(L)
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SQJQ900E-T1_GE3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 8 x 8 Dual
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 20A, 10V
Leistung - max 135W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 8 x 8 Dual
Andere Namen SQJQ900E-T1_GE3TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 18 Weeks
Hersteller-Teilenummer SQJQ900E-T1_GE3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5900pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Standard
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 100A (Tc) 135W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Beschreibung MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)

Andere

Andere Namen SQJQ900E-T1_GE3TR
Standardpaket 2,000

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Distributor von Vishay Siliconix

- Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin verwendet. Vishay ist stolz darauf, ein wichtiger Partner von exshinetech.com zu sein.

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