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IPI09N03LA
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IPI09N03LA |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IPI09N03LA |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IPI,IPP09N03LA |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IPI09N03LA
Auf Lager: 58104 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 63W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andere Namen | IPI09N03LAX SP000014032 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | IPI09N03LA |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1642pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 25V 50A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Andere
| Andere Namen | IPI09N03LAX SP000014032 |
|---|---|
| Standardpaket | 500 |
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