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IPI100N04S303AKSA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IPI100N04S303AKSA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IPI100N04S303AKSA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IPx100N04S3-03 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IPI100N04S303AKSA1
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 214W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andere Namen | IPI100N04S3-03 IPI100N04S3-03-ND SP000261223 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | IPI100N04S303AKSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 40V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 500 |
|---|---|
| Andere Namen | IPI100N04S3-03 IPI100N04S3-03-ND SP000261223 |
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