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QS8M12TCR
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-QS8M12TCR |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | QS8M12TCR |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | QS8M12 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
QS8M12TCR
Auf Lager: 77356000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | TSMT8 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 4A, 10V |
| Leistung - max | 1.5W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
| Andere Namen | QS8M12TCRTR |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | QS8M12TCR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 5V |
| Typ FET | N and P-Channel |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A |
Andere
| Standardpaket | 3,000 |
|---|---|
| Andere Namen | QS8M12TCRTR |
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