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APTM100DA18CT1G

EXSHINE Artikelnummer:EX-APTM100DA18CT1G
Hersteller Artikelnummer:APTM100DA18CT1G
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APTM100DA18CT1G
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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APTM100DA18CT1G
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SP1
Serie POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 216 mOhm @ 33A, 10V
Verlustleistung (max) 657W (Tc)
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SP1
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer APTM100DA18CT1G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 570nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 1000V (1kV) 40A 657W (Tc) Chassis Mount SP1
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V (1kV)
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A

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Standardpaket 1

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