APTM100DSK35T3G

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-APTM100DSK35T3G
Hersteller Artikelnummer:	APTM100DSK35T3G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Kurze Beschreibung:	MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	APTM100DSK35T3G Power Products Catalog
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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APTM100DSK35T3G
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse	SP3
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 11A, 10V
Leistung - max	390W
Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP3
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	22 Weeks
Hersteller-Teilenummer	APTM100DSK35T3G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	186nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Standard
Expanded Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V (1kV)
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	22A

Andere

Standardpaket	1

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