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APTM100H45FT3G

EXSHINE Artikelnummer:EX-APTM100H45FT3G
Hersteller Artikelnummer:APTM100H45FT3G
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APTM100H45FT3GPower Products Catalog
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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APTM100H45FT3G
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse SP3
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 9A, 10V
Leistung - max 357W
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SP3
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 22 Weeks
Hersteller-Teilenummer APTM100H45FT3G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 154nC @ 10V
Typ FET 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal Standard
Expanded Beschreibung Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V (1kV)
Beschreibung MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A

Andere

Standardpaket 1

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Distributor von Microsemi Corporation

- Micro / sys bietet eine breite Palette an Prozessoroptionen, von kostengünstigen 80C188-basierten Computern über Pentium-basierte Kraftpakete bis hin zu Peripheriegeräten und I / O-Produkten.

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