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APTM100H80FT1G
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-APTM100H80FT1G |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | APTM100H80FT1G |
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | APTM100H80FT1GPower Products Catalog |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
APTM100H80FT1G
Auf Lager: 50677 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | SP1 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960 mOhm @ 9A, 10V |
| Leistung - max | 208W |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | SP1 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | APTM100H80FT1G |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3876pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Typ FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Merkmal | Standard |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A |
Andere
| Standardpaket | 1 |
|---|
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Distributor von Microsemi Corporation
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