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CSD85312Q3E
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-CSD85312Q3E |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | CSD85312Q3E |
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | CSD85312Q3E |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
CSD85312Q3E
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 10A, 8V |
| Leistung - max | 2.5W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen | CSD85312Q3E-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 6 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | CSD85312Q3E |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 39A |
Andere
| Andere Namen | CSD85312Q3E-ND |
|---|---|
| Standardpaket | 2,500 |
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