CSD87312Q3E

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CSD87312Q3E

EXSHINE Artikelnummer:EX-CSD87312Q3E
Hersteller Artikelnummer:CSD87312Q3E
Hersteller / Marke:Texas Instruments
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Bleifreier Status / RoHS Status:Enthält Blei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:CSD87312Q3E
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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CSD87312Q3E
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-VSON (3.3x3.3)
Serie NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 7A , 8V
Leistung - max 2.5W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Andere Namen 296-35526-2
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 26 Weeks
Hersteller-Teilenummer CSD87312Q3E
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 4.5V
Typ FET 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 27A

Andere

Standardpaket 2,500
Andere Namen 296-35526-2

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