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CSD87335Q3D
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-CSD87335Q3D |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | CSD87335Q3D |
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | CSD87335Q3D |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
CSD87335Q3D
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | 8-LSON (3.3x3.3) |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Leistung - max | 6W |
| Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerLDFN |
| Andere Namen | 296-43949-6 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 26 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | CSD87335Q3D |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Merkmal | Standard |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |
Andere
| Andere Namen | 296-43949-6 |
|---|---|
| Standardpaket | 1 |
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