CSD87335Q3DT

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CSD87335Q3DT

EXSHINE Artikelnummer:EX-CSD87335Q3DT
Hersteller Artikelnummer:CSD87335Q3DT
Hersteller / Marke:Texas Instruments
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 25A
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:CSD87335Q3DT
Anwendung:-
Gewicht:-
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CSD87335Q3DT
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-LSON (3.3x3.3)
Serie NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Leistung - max 6W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerLDFN
Andere Namen 296-43923-2
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 26 Weeks
Hersteller-Teilenummer CSD87335Q3DT
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Standard
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 25A
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A

Andere

Standardpaket 250
Andere Namen 296-43923-2

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