CSD86311W1723

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CSD86311W1723

EXSHINE Artikelnummer:EX-CSD86311W1723
Hersteller Artikelnummer:CSD86311W1723
Hersteller / Marke:Texas Instruments
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:CSD86311W1723
Anwendung:-
Gewicht:-
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CSD86311W1723
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 12-DSBGA (1.53x1.98)
Serie NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 2A, 8V
Leistung - max 1.5W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 12-UFBGA, DSBGA
Andere Namen 296-27599-2
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer CSD86311W1723
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 585pF @ 12.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 4.5A 1.5W Surface Mount 12-DSBGA (1.53x1.98)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A

Andere

Andere Namen 296-27599-2
Standardpaket 3,000

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